FQI4N90TU备选型号: STB7NK80Z-1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    2.084g
    SILICON
    4.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.3Ohm
    Tin (Sn)
    900V
    4.1A
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3 Ω @ 2.1A, 10V
    5V @ 250μA
    1100pF @ 25V
    30nC @ 10V
    70ns
    ±30V
    40 ns
    4.2A
    30V
    900V
    570 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    SILICON
    5.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 2.6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1138pF @ 25V
    56nC @ 10V
    12ns
    ±30V
    20 ns
    5.2A
    30V
    800V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    雪崩 额定
    STB7N
    3
    20.8A
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FQI4N80TU FQI4N80TU ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK 对比