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首页 全部分类 FQNL2N50BBU vs STQ2NK60ZR-AP

FQNL2N50BBU备选型号: STQ2NK60ZR-AP

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQNL2N50BBU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    3
    350mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    QFET®
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    500V
    350mA
    Single
    1.5W
    N-Channel
    5.3 Ω @ 175mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    230pF @ 25V
    8nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    350mA
    30V
    500V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STQ2NK60ZR-AP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    400mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    SuperMESH™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    8 Ω @ 700mA, 10V
    4.5V @ 50μA
    170pF @ 25V
    10nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    400mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    未说明
    未说明
    STQ2
    3
    O-PBCY-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    600V
    0.4A
    8Ohm
    1.6A
    600V
    90 mJ
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