STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STQ2

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 700mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

400mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.6A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant