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FQNL2N50BTA备选型号: STQ2HNK60ZR-AP
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET 500V N-Channel QFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)3371.1027mgSILICON350mA Tc-55°C~150°C TJTape & Box (TB)QFET®2001e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)500VBOTTOM未说明350mA未说明不合格Single增强型MOSFET1.5W6 nsN-ChannelSWITCHING5.3 Ω @ 175mA, 10V3.7V @ 250μA230pF @ 25V8nC @ 10V25ns±30V25 ns350mA30V500V8mm4.9mm3.9mmROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3-SILICON500mA Tc-55°C~150°C TJTape & Box (TB)SuperMESH™-e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99--BOTTOM-----增强型MOSFET-10 nsN-ChannelSWITCHING4.8 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 50μA280pF @ 25V15nC @ 10V30ns±30V50 ns500mA30V----ROHS3 Compliant无铅TinSTQ23SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V0.5A2A600V120 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 | 对比 |
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