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首页 全部分类 FQP11N40C vs IRF740B

FQP11N40C备选型号: IRF740B

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FQP11N40C
    ON Semiconductor
    MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    530MOhm
    Tin (Sn)
    400V
    未说明
    10.5A
    未说明
    不合格
    400V
    Single
    10A
    增强型MOSFET
    135W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    530m Ω @ 5.25A, 10V
    4V @ 250μA
    1090pF @ 25V
    35nC @ 10V
    89ns
    ±30V
    81 ns
    10.5A
    4V
    TO-220AB
    30V
    400V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IRF740B
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2001
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    400V
    Single
    10A
    -
    134W
    -
    N-Channel
    -
    540mOhm @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    53nC @ 10V
    80ns
    ±30V
    85 ns
    10A
    4V
    -
    30V
    400V
    -
    -
    -
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    TO-220-3
    150°C
    -55°C
    400V
    1.8nF
    430mOhm
    540 mΩ
    4 V
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