ON Semiconductor IRF740B
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IRF740B
1807-IRF740B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
--最小包装量--
IRF740B详情
ON Semiconductor IRF740B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
125 ns
Power Dissipation (Max)
134W Tc
Number of Elements
1
已出版
2001
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压
400V
元素配置
Single
电流
10A
功率耗散
134W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
540mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
上升时间
80ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
85 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
400V
输入电容
1.8nF
漏源电阻
430mOhm
最大rds
540 mΩ
栅源电压
4 V
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
Unknown
IRF740B拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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