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首页 全部分类 FQP11P06 vs IRF9Z24NPBF

FQP11P06备选型号: IRF9Z24NPBF

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
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  • 螺纹距离
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQP11P06
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    11.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -60V
    -11.4A
    Single
    增强型MOSFET
    53W
    6.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 5.7A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    17nC @ 10V
    40ns
    60V
    ±25V
    45 ns
    11.4A
    TO-220AB
    25V
    -60V
    45.6A
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9Z24NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -55V
    -12A
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 7.2A, 10V
    4V @ 250μA
    350pF @ 25V
    19nC @ 10V
    55ns
    55V
    ±20V
    37 ns
    -12A
    TO-220AB
    20V
    -55V
    48A
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    175mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    2.54mm
    DRAIN
    -4V
    -55V
    96 mJ
    71 ns
    -4 V
    无SVHC
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