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首页 全部分类 FQP12P20 vs FQP10N20C

FQP12P20备选型号: FQP10N20C

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • ON Semiconductor
    FQP12P20
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    11.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    470MOhm
    -200V
    -11.5A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    120W
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    470m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    40nC @ 10V
    195ns
    200V
    ±30V
    60 ns
    11.5A
    -5V
    TO-220AB
    30V
    -200V
    46A
    -200V
    -5 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQP10N20C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    360mOhm
    200V
    9.5A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    72W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    360m Ω @ 4.75A, 10V
    4V @ 250μA
    510pF @ 25V
    26nC @ 10V
    92ns
    -
    ±30V
    72 ns
    9.5A
    -
    TO-220AB
    30V
    200V
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
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FQP10N20C FQP10N20C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 对比