FQP13N10备选型号: IRF520NPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 螺纹距离
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- MOSFET N-CH/100V/12.8A 0.18OHMACTIVE (Last Updated: 2 days ago)5 WeeksTin通孔通孔TO-220-331.8gSILICON12.8A Tc-55°C~175°C TJTubeQFET®2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99180mOhm100V12.8ASingle增强型MOSFET65W5 nsN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 6.4A, 10V4V @ 250μA450pF @ 25V16nC @ 10V55ns±25V25 ns12.8A4VTO-220AB25V100V95 mJ9.4mm10.1mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB-12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33-SILICON9.7A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1998--活跃1 (Unlimited)3EAR99-100V9.7ASingle增强型MOSFET48W4.5 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 5.7A, 10V4V @ 250μA330pF @ 25V25nC @ 10V23ns±20V23 ns9.7A4VTO-220AB20V100V-15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY2.54mmDRAIN9.5A0.2Ohm100V150 ns4 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF520NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 对比 |



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