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首页 全部分类 FQP14N15 vs STP14NF12

FQP14N15备选型号: STP14NF12

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQP14N15
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    150V
    14A
    Single
    104W
    N-Channel
    210mOhm @ 7.2A, 10V
    4V @ 250μA
    715pF @ 25V
    23nC @ 10V
    90ns
    150V
    ±25V
    65 ns
    14.4A
    25V
    150V
    715pF
    210mOhm
    210 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP14NF12
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP14NF12 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 120 V, 160 mohm, 10 V, 3 V
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    14A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    60W
    N-Channel
    180m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    460pF @ 25V
    21nC @ 10V
    25ns
    -
    ±20V
    8 ns
    7A
    20V
    120V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    4.535924g
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    STP14N
    3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    3V
    TO-220AB
    56A
    60 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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STP14NF12 STP14NF12 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 STMICROELECTRONICS STP14NF12 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 120 V, 160 mohm, 10 V, 3 V 对比