FQP16N25C备选型号: FQP14N30

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    1.8g
    15.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    250V
    16A
    Single
    139W
    15 ns
    N-Channel
    270mOhm @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1080pF @ 25V
    53.5nC @ 10V
    130ns
    250V
    ±30V
    105 ns
    15.6A
    30V
    250V
    1.08nF
    270mOhm
    270 mΩ
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    1.8g
    14.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    300V
    14.4A
    Single
    147W
    22 ns
    N-Channel
    290m Ω @ 7.2A, 10V
    5V @ 250μA
    1360pF @ 25V
    40nC @ 10V
    145ns
    -
    ±30V
    70 ns
    14.4A
    30V
    300V
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    11 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.29Ohm
    57.6A
    600 mJ
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