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首页 全部分类 FQP19N20C vs FQP16N25C

FQP19N20C备选型号: FQP16N25C

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQP19N20C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    170mOhm
    Tin (Sn)
    200V
    19A
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 9.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1080pF @ 25V
    53nC @ 10V
    150ns
    ±30V
    115 ns
    19A
    4V
    TO-220AB
    30V
    200V
    76A
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP16N25C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    -
    15.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    250V
    16A
    Single
    -
    139W
    15 ns
    N-Channel
    -
    270mOhm @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1080pF @ 25V
    53.5nC @ 10V
    130ns
    ±30V
    105 ns
    15.6A
    -
    -
    30V
    250V
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    150°C
    -55°C
    250V
    1.08nF
    270mOhm
    270 mΩ
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