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首页 全部分类 FQP3N30 vs FQP4N25

FQP3N30备选型号: FQP4N25

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQP3N30
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    300V
    3.2A
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 1.6A, 10V
    5V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    25 ns
    3.2A
    1.65V
    TO-220AB
    30V
    300V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    -
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    250V
    3.6A
    Single
    -
    52W
    -
    N-Channel
    -
    1.75Ohm @ 1.8A, 10V
    5V @ 250μA
    200pF @ 25V
    5.6nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    22 ns
    3.6A
    -
    -
    30V
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    150°C
    -55°C
    250V
    200pF
    1.75Ohm
    1.75 Ω
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