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首页 全部分类 FQP3P20 vs FQP4N25

FQP3P20备选型号: FQP4N25

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  • 晶体管元件材料
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQP3P20
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    2.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.7Ohm
    Tin (Sn)
    -200V
    -2.8A
    200V
    Single
    28A
    增强型MOSFET
    52W
    8.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.7 Ω @ 1.4A, 10V
    5V @ 250μA
    250pF @ 25V
    8nC @ 10V
    35ns
    ±30V
    25 ns
    2.8A
    -5V
    TO-220AB
    30V
    -200V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    250V
    3.6A
    -
    Single
    -
    -
    52W
    -
    N-Channel
    -
    1.75Ohm @ 1.8A, 10V
    5V @ 250μA
    200pF @ 25V
    5.6nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    22 ns
    3.6A
    -
    -
    30V
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    150°C
    -55°C
    250V
    200pF
    1.75Ohm
    1.75 Ω
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FQP4N25 FQP4N25 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220 对比