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首页 全部分类 FQP4N20L vs IRF610PBF

FQP4N20L备选型号: IRF610PBF

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  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 电压
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQP4N20L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    SILICON
    3.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    3.8A
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.35 Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 250μA
    310pF @ 25V
    5.2nC @ 5V
    70ns
    ±20V
    40 ns
    3.8A
    TO-220AB
    20V
    3.6A
    200V
    52 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Vishay Siliconix
    IRF610PBF
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
    -
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    -
    3.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    200V
    3.3A
    -
    Single
    -
    36W
    8.2 ns
    N-Channel
    -
    1.5Ohm @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    140pF @ 25V
    8.2nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    8.9 ns
    3.3A
    -
    20V
    -
    200V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    TO-220AB
    1997
    1.5Ohm
    150°C
    -55°C
    1
    200V
    200V
    4V
    140pF
    310 ns
    1.5Ohm
    1.5 Ω
    4 V
    9.01mm
    10.41mm
    4.7mm
    Unknown
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