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首页 全部分类 FQP5N60C vs IRFB812PBF

FQP5N60C备选型号: IRFB812PBF

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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FQP5N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.5Ohm
    Tin (Sn)
    600V
    4.5A
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    42ns
    ±30V
    46 ns
    4.5A
    4V
    TO-220AB
    30V
    600V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB812PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
    -
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    2.2Ohm
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    78W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    17 ns
    3.6A
    3V
    TO-220AB
    20V
    500V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    110 ns
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IRFB812PBF IRFB812PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB 对比