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首页 全部分类 FQP6N40CF vs FDP7N50

FQP6N40CF备选型号: FDP7N50

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FQP6N40CF
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1 Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    625pF @ 25V
    20nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    38 ns
    6A
    TO-220AB
    30V
    6A
    400V
    24A
    270 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP7N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 7A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    35 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    7A
    500V
    28A
    270 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    3
    0.9Ohm
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
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