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首页 全部分类 FQP85N06 vs IRF1010EPBF

FQP85N06备选型号: IRF1010EPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQP85N06
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    4.535924g
    SILICON
    175 ns
    2013
    QFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    未说明
    85A
    未说明
    不合格
    60V
    Single
    85A
    增强型MOSFET
    160W
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 42.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4120pF @ 25V
    112nC @ 10V
    230ns
    ±25V
    170 ns
    85A
    4V
    TO-220AB
    25V
    60V
    60V
    4 V
    4.7mm
    10.1mm
    9.4mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    84A Tc
    2001
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    -
    60V
    -
    84A
    -
    -
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    170W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    130nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    53 ns
    84A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    60V
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    16.51mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    Tin
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    2.54mm
    DRAIN
    75A
    无
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