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首页 全部分类 FQP9N50 vs FQP11N40C

FQP9N50备选型号: FQP11N40C

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  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 电压
  • 电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FQP9N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    730mOhm
    Tin (Sn)
    500V
    未说明
    9A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    147W
    N-Channel
    SWITCHING
    730m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    36nC @ 10V
    95ns
    ±30V
    60 ns
    9A
    TO-220AB
    30V
    9A
    500V
    500V
    5 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP11N40C
    ON Semiconductor
    MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    530MOhm
    Tin (Sn)
    400V
    未说明
    10.5A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    135W
    N-Channel
    SWITCHING
    530m Ω @ 5.25A, 10V
    4V @ 250μA
    1090pF @ 25V
    35nC @ 10V
    89ns
    ±30V
    81 ns
    10.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    400V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    400V
    10A
    14 ns
    4V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
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