FQPF19N20T备选型号: 2SJ655
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 端子表面处理
- 配置
- 操作模式
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F通孔通孔TO-220-3 Full Pack11.8A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®Obsolete1 (Unlimited)100V19ASingle50WN-Channel150m Ω @ 5.9A, 10V5V @ 250μA1600pF @ 25V40nC @ 10V190ns±30V80 ns11.8A30V200V符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML---150°C--------------------符合RoHS标准-[object Object]NOTin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)Single增强型MOSFETP-CHANNEL12AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR25W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF22P10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F | 对比 | |
| FQPF19N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F | 对比 | |
| 2SJ655 | ON SEMICONDUCTOR | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML | 对比 |


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