FQPF19N20T备选型号: 2SJ655

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  • 底架
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 操作模式
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    11.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    19A
    Single
    50W
    N-Channel
    150m Ω @ 5.9A, 10V
    5V @ 250μA
    1600pF @ 25V
    40nC @ 10V
    190ns
    ±30V
    80 ns
    11.8A
    30V
    200V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON SEMICONDUCTOR
    MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
    -
    -
    -
    150°C
    -
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    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    [object Object]
    NO
    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
    Single
    增强型MOSFET
    P-CHANNEL
    12A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    25W
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