FQPF3N60备选型号: FQPF4N50

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  • 电压 - 额定直流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    20 ns
    2000
    QFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    2A
    Single
    34W
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 250μA
    450pF @ 25V
    13nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    30 ns
    2A
    5V
    30V
    600V
    符合RoHS标准
    无SVHC
    无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    -
    2.3A Tc
    2000
    QFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    500V
    2.3A
    Single
    35W
    N-Channel
    2.7 Ω @ 1.15A, 10V
    5V @ 250μA
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    30 ns
    2.3A
    -
    30V
    500V
    符合RoHS标准
    -
    无铅
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