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首页 全部分类 FQPF45N15V2 vs IRFIB41N15DPBF

FQPF45N15V2备选型号: IRFIB41N15DPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQPF45N15V2
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150V
    45A
    Single
    增强型MOSFET
    66W
    ISOLATED
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 22.5A, 10V
    4V @ 250μA
    3030pF @ 25V
    94nC @ 10V
    232ns
    ±30V
    246 ns
    45A
    TO-220AB
    30V
    0.04Ohm
    150V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    150V
    41A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    ISOLATED
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    63ns
    ±20V
    14 ns
    41A
    TO-220AB
    30V
    0.045Ohm
    150V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
    260
    40
    5.5V
    150V
    470 mJ
    5.5 V
    4.826mm
    10.6172mm
    16.12mm
    无SVHC
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IRFIB41N15DPBF IRFIB41N15DPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP 对比