FQPF6N60C备选型号: FQPF7N65C

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    2Ohm
    600V
    5.5A
    Single
    40W
    15 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 2.75A, 10V
    4V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    45 ns
    5.5A
    4V
    30V
    600V
    600V
    4 V
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    1.4Ohm
    650V
    7A
    Single
    52W
    20 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1245pF @ 25V
    36nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    55 ns
    7A
    4V
    30V
    650V
    -
    -
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    快速切换
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    SWITCHING
    TO-220AB
    7A
    28A
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