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FQS4900TF备选型号: DMN3033LSD-13
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- 配置
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
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- 引脚数量
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 长度
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MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFETACTIVE (Last Updated: 4 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON1.3A 300mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2002e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)2WDUAL鸥翼未说明未说明FQS4900不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 650mA, 10V1.95V @ 20mA2.1nC @ 5V25ns60V 300VN-CHANNEL AND P-CHANNEL47 ns1.3A20V0.65Ohm-300V5.2AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC-15 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8850.995985mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2011e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)2W-鸥翼26040---增强型MOSFET2W2 N-Channel (Dual)SWITCHING20m Ω @ 6.9A, 10V2.1V @ 250μA13nC @ 10V7ns30V-30 ns6.9A20V-30V30AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅22mOhmHIGH RELIABILITY811 ns725pF @ 15V1.5mm5.3mm4.1mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | 对比 |
| DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
| FQS4901TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP | 对比 |
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