FQS4900TF备选型号: FQS4901TF
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- 晶体管元件材料
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFETACTIVE (Last Updated: 4 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON1.3A 300mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2002e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)2WDUAL鸥翼未说明未说明FQS4900不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 650mA, 10V1.95V @ 20mA2.1nC @ 5V25ns60V 300VN-CHANNEL AND P-CHANNEL47 ns1.3A20V0.65Ohm-300V5.2AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOPACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®-e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)2W-鸥翼--FQS4901--增强型MOSFET2W2 N-Channel (Dual)SWITCHING4.2 Ω @ 225mA, 10V4V @ 250μA7.5nC @ 10V20ns--35 ns450mA25V-400V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅4.2Ohm400V450mADual5 ns210pF @ 25V4V0.45A无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | 对比 |
![]() | DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
| FQS4901TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP | 对比 |




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