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FQT3P20TF备选型号: FQT2P25TF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 漏极-源极导通最大电阻
Trans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188mgSILICON670mA Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2001e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR992.7OhmTin (Sn)-200VDUAL鸥翼-670mAR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.5WDRAIN8.5 nsP-ChannelSWITCHING2.7 Ω @ 335mA, 10V5V @ 250μA250pF @ 25V8nC @ 10V35ns200V±30V25 ns670mA30V0.67A-200V2.7A1.6mm6.5mm3.56mm无ROHS3 Compliant无铅--
Trans MOSFET P-CH 250V 0.55A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188mgSILICON550mA Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2013e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99-Tin (Sn)-250VDUAL鸥翼-550mA-Single增强型MOSFET2.5WDRAIN8.5 nsP-ChannelSWITCHING4 Ω @ 275mA, 10V5V @ 250μA250pF @ 25V8.5nC @ 10V40ns250V±30V25 ns550mA30V0.55A-250V2.2A1.8mm6.7mm3.7mm无ROHS3 Compliant无铅44Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQT4N25TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET 250V Single | 对比 |
| FQT2P25TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.55A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 | 对比 |
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