您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FQT4N25TF vs FQT3P20TF

FQT4N25TF备选型号: FQT3P20TF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQT4N25TF
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V Single
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    188mg
    SILICON
    830mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    1.75Ohm
    Tin (Sn)
    250V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    830mA
    未说明
    R-PDSO-G4
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.75 Ω @ 415mA, 10V
    5V @ 250μA
    200pF @ 25V
    5.6nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    22 ns
    830mA
    5V
    30V
    250V
    52 mJ
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQT3P20TF
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    188mg
    SILICON
    670mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    2.7Ohm
    Tin (Sn)
    -200V
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -670mA
    -
    R-PDSO-G4
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.7 Ω @ 335mA, 10V
    5V @ 250μA
    250pF @ 25V
    8nC @ 10V
    35ns
    ±30V
    25 ns
    670mA
    -
    30V
    -200V
    -
    1.6mm
    6.5mm
    3.56mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    200V
    0.67A
    2.7A
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FQT3P20TF FQT3P20TF ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比