FQU1N60TU备选型号: SSU1N50BTU

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  • 安装类型
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  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    1A
    Single
    2.5W
    N-Channel
    11.5 Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    150pF @ 25V
    6nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    1A
    30V
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 520V 1.3A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    1.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    2.5W
    N-Channel
    5.3 Ω @ 650mA, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 25V
    11nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    35 ns
    1.3A
    30V
    520V
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    3
    343.08mg
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    增强型MOSFET
    14 ns
    SWITCHING
    5A
    100 mJ
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