FQU2N50BTU-WS备选型号: FQU2N60CTU

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    1.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.3 Ω @ 800mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    230pF @ 25V
    8nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    20 ns
    1.6A
    30V
    500V
    6.4A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    1.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7 Ω @ 950mA, 10V
    4V @ 250μA
    235pF @ 25V
    12nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    28 ns
    1.9A
    30V
    600V
    7.6A
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2005
    EAR99
    4.7Ohm
    600V
    未说明
    not_compliant
    1.9A
    未说明
    不合格
    6.1mm
    6.6mm
    2.3mm
    无铅
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