ON Semiconductor FQU2N60CTU

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 44W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.7Ohm

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

1.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7 Ω @ 950mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

235pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

1.9A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.6A

高度

6.1mm

长度

6.6mm

宽度

2.3mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅