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首页 全部分类 FQU3N50CTU vs FQU4N50TU-WS

FQU3N50CTU备选型号: FQU4N50TU-WS

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQU3N50CTU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    2.5A
    30V
    500V
    200 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FQU4N50TU-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    -
    2.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    -
    2.7 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    30 ns
    2.6A
    30V
    500V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
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STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A 对比