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首页 全部分类 FQU3N50CTU vs STD5NK40Z-1

FQU3N50CTU备选型号: STD5NK40Z-1

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQU3N50CTU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
    5 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    343.08mg
    SILICON
    2.5A Tc
    4V @ 250μA
    QFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    2.5A
    30V
    500V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD5NK40Z-1
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A
    12 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    3A Tc
    4.5V @ 50μA
    SuperMESH™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    e3
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 1.5A, 10V
    305pF @ 25V
    17nC @ 10V
    6ns
    ±30V
    11 ns
    3A
    30V
    400V
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    1.8Ohm
    260
    30
    STD5N
    3.75V
    3A
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    无SVHC
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A 对比