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FQU5P20TU备选型号: FDU6N25
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAKACTIVE (Last Updated: 6 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mgSILICON3.7A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR991.4OhmTin (Sn)-200V-3.7ASingle增强型MOSFET2.5W9 nsP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.85A, 10V5V @ 250μA430pF @ 25V13nC @ 10V70ns200V±30V25 ns3.7A30V-200V7.57mm6.8mm2.5mm无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)4 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3539mgSILICON4.4A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)--Single增强型MOSFET-10 nsN-ChannelSWITCHING1.1 Ω @ 2.2A, 10V5V @ 250μA250pF @ 25V6nC @ 10V60ns250V±30V34 ns4.4A30V-7.57mm6.8mm2.5mm无ROHS3 Compliant-8541.29.00.95TO-251AA18A250V12 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU220BTU-AM002 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 对比 |
| FQU6N25TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK | 对比 |
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