ON Semiconductor FDU6N25

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

质量

539mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

34 ns

连续放电电流(ID)

4.4A

JEDEC-95代码

TO-251AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

250V

雪崩能量等级（Eas）

12 mJ

高度

7.57mm

长度

6.8mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant