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首页 全部分类 FS100R17KE3BOSA1 vs APTGT100DA60T1G

FS100R17KE3BOSA1备选型号: APTGT100DA60T1G

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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Infineon Technologies
    FS100R17KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 100A
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    35
    SILICON
    6
    -40°C~125°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    35
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    35
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    555W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    145A
    5mA
    1700V
    450 ns
    2.45V @ 15V, 100A
    1100 ns
    有
    9nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT100DA60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    Single
    ISOLATED
    340W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    150A
    250μA
    -
    180 ns
    1.9V @ 15V, 100A
    370 ns
    有
    6.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    e1
    锡银铜
    340W
    MOTOR CONTROL
    6.1nF
    沟渠现场停车
    20V
    1.9 V
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APTGT100DA60T1G APTGT100DA60T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1 对比