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首页 全部分类 FS20R06VE3BOMA1 vs FP7G50US60

FS20R06VE3BOMA1备选型号: FP7G50US60

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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • ECCN 代码
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  • 配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FS20R06VE3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 20A
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    13
    SILICON
    1.55V
    25A
    -40°C~150°C
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    13
    EAR99
    UPPER
    WIRE
    13
    三相逆变器
    71.5W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    25A
    1mA
    320 ns
    2V @ 15V, 20A
    250 ns
    无
    1.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FP7G50US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    EPM7
    7
    -
    -
    600V
    -40°C~125°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    半桥
    -
    -
    -
    Standard
    600V
    50A
    250μA
    -
    2.8V @ 15V, 50A
    -
    无
    2.92nF @ 30V
    符合RoHS标准
    -
    EPM7
    Power-SPM™
    125°C
    -40°C
    250W
    Dual
    250W
    600V
    2.92nF
    无
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FP7G50US60 FP7G50US60 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 EPM7 IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 对比