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FS35R12KT3BOSA1备选型号: APTGT35H120T3G

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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FS35R12KT3BOSA1
    Infineon Technologies
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
    16 Weeks
    PCB, Screw
    底座安装
    Module
    28
    SILICON
    6
    -40°C~125°C
    EconoPACK™ 2
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    210W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    28
    不合格
    全桥逆变器
    ISOLATED
    210W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    55A
    5mA
    1200V
    140 ns
    2.15V @ 15V, 35A
    610 ns
    有
    2.5nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT35H120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    208W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    25
    -
    全桥逆变器
    ISOLATED
    208W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    2.1V
    55A
    250μA
    1200V
    140 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    有
    2.5nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    R-XUFM-X25
    电源控制
    2.5nF
    沟渠现场停车
    无
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