Infineon Technologies FS25R12W1T4BOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

18

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

23

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

205W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

23

JESD-30代码

R-XUFM-X23

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

205W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

45A

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

80 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

505 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

1.45nF @ 25V

高度

12mm

长度

62.8mm

宽度

33.8mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅