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首页 全部分类 FS450R12KE3BOSA1 vs APTGT400DU120G

FS450R12KE3BOSA1备选型号: APTGT400DU120G

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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FS450R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 600A 2100W
    14 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    29
    SILICON
    1.2kV
    2.15V
    -40°C~125°C TJ
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    29
    EAR99
    2.1kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    29
    不合格
    三相逆变器
    2.1kW
    ISOLATED
    2100W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    600A
    5mA
    1200V
    400 ns
    2.15V @ 15V, 450A
    810 ns
    沟渠现场停车
    有
    32nF @ 25V
    17mm
    162mm
    150mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT400DU120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6
    36 Weeks
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~150°C TJ
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    1.785kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    Dual, Common Source
    -
    ISOLATED
    1785W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    560A
    750μA
    1200V
    340 ns
    2.1V @ 15V, 400A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    Dual
    电源控制
    28nF
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