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首页 全部分类 FS450R12OE4BOSA1 vs FF600R12ME4BOSA1

FS450R12OE4BOSA1备选型号: FF600R12ME4BOSA1

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  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Infineon Technologies
    FS450R12OE4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 660A 2250W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    29
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    2250W
    不含卤素
    Standard
    1.2kV
    660A
    3mA
    1200V
    2.1V @ 15V, 450A
    沟渠现场停车
    有
    28nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF600R12ME4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 600A
    52 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    11
    -40°C~150°C
    -
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    2 Independent
    4050W
    -
    Standard
    1.2kV
    600A
    3mA
    1200V
    2.1V @ 15V, 600A
    沟渠现场停车
    有
    37nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    2.1V
    2
    7
    UPPER
    UNSPECIFIED
    11
    R-XUFM-X7
    不合格
    Dual
    4.05kW
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    310 ns
    770 ns
    20V
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