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首页 全部分类 FS50R12KT4B15BOSA1 vs FP7G50US60

FS50R12KT4B15BOSA1备选型号: FP7G50US60

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FS50R12KT4B15BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 50A 280W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    28
    SILICON
    6
    -40°C~150°C
    EconoPACK™2
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    280W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    50A
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 50A
    490 ns
    沟渠现场停车
    有
    2.8nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FP7G50US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    EPM7
    7
    -
    600V
    -40°C~125°C TJ
    Power-SPM™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    半桥
    -
    250W
    -
    -
    Standard
    600V
    50A
    250μA
    600V
    -
    2.8V @ 15V, 50A
    -
    -
    无
    2.92nF @ 30V
    符合RoHS标准
    -
    EPM7
    125°C
    -40°C
    250W
    Dual
    2.92nF
    无
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