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首页 全部分类 FSB50250S vs FDMA6023PZT

FSB50250S备选型号: FDMA6023PZT

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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FSB50250S
    ON Semiconductor
    FSB50250S-
    表面贴装
    表面贴装
    23-PowerSMD Module, Gull Wing
    23
    4.05g
    Cut Tape (CT)
    SPM®
    2011
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    23
    MOSFET
    150°C
    -20°C
    DUAL
    1
    15V
    15kHz
    FSB50250
    3
    1500Vrms
    500V
    1A
    3 Phase
    400V
    1A
    200μA
    10W
    2A
    500V
    1A
    500V
    3.05mm
    29mm
    12mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FDMA6023PZT
    ON Semiconductor
    Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    40mg
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
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    -
    -
    1.4W
    -
    -
    -3.6A
    -
    500μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    SILICON
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    e4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    60m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    885pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    11ns
    11 ns
    -500mV
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -500 mV
    150 pF
    无
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