FSB749备选型号: DRA2L14Y0L
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
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- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- Reach合规守则
- 极性
- 晶体管应用
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low SaturationACTIVE (Last Updated: 1 day ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON25V600mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-25V500mWDUAL鸥翼未说明-3A100MHz未说明FSB749不合格Single500mW100MHzPNPPNP25V3A100 @ 1A 2V100nA ICBO600mV @ 300mA, 3A100MHz25V-35V-5V940μm2.92mm1.4mmROHS3 Compliant无铅---------
- Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm-10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON30V-1.2V-Tape & Reel (TR)2016--Discontinued1 (Unlimited)3EAR99--200mWDUAL鸥翼未说明--未说明DRA2L14-Single---PNP - Pre-Biased-30V100mA80 @ 5mA 10V500nA1.2V @ 330μA, 50mA-30V--1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准-150°CBUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.78541.21.00.95unknownPNPSWITCHING10 k Ω-100mA47 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1298-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI | 对比 | |
| BCW30T116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 32V 0.1A SST3 | 对比 | |
![]() | DRA2L14Y0L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |



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