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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.937353
10
¥3.714483
100
¥3.504233
500
¥3.30588
1000
¥3.118755
ON Semiconductor FSB749
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- 对比
FSB749
1807-FSB749
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FSB749详情
ON Semiconductor FSB749重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-25V
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-3A
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FSB749
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
500mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 300mA, 3A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
-35V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
940μm
长度
2.92mm
宽度
1.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FSB749拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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