FT150R12KE3G_B4备选型号: APTGF150DU120TG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 39-Pin ECONO 3
    Screw
    底座安装
    Module
    39
    SILICON
    3
    150°C TJ
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    39
    EAR99
    锡铅
    UPPER
    UNSPECIFIED
    39
    三相逆变器
    ISOLATED
    700W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    200A
    5mA
    1200V
    700W
    350 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    850 ns
    有
    20V
    10.5nF @ 25V
    2.15 V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    20
    -
    1.2kV
    -
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    UPPER
    UNSPECIFIED
    12
    Dual, Common Source
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    200A
    350μA
    1200V
    -
    190 ns
    3.7V @ 15V, 150A
    390 ns
    有
    -
    10.2nF @ 25V
    3.7 V
    -
    符合RoHS标准
    2006
    yes
    150°C
    -40°C
    961W
    未说明
    未说明
    R-XUFM-X12
    不合格
    Dual
    10.2nF
    NPT
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比