Microsemi Corporation APTGF150DU120TG
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APTGF150DU120TG
1619-APTGF150DU120TG
晶体管 - IGBT - 模块
SP4
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IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
1最小包装量--
APTGF150DU120TG详情
Microsemi Corporation APTGF150DU120TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
引脚数
20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
2
已出版
2006
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
961W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X12
资历状况
不合格
配置
Dual, Common Source
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
200A
最大集极截止电流
350μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
10.2nF
接通时间
190 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
390 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
10.2nF @ 25V
VCEsat-最大值
3.7 V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGF150DU120TG拓展信息
Microsemi Corporation
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