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首页 全部分类 FW907-TL-E vs IRF8707GTRPBF

FW907-TL-E备选型号: IRF8707GTRPBF

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FW907-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
    8
    10A 8A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.3W
    Dual
    2.5W
    N and P-Channel
    17m Ω @ 10A, 10V
    1000pF @ 10V
    17nC @ 10V
    10A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8707GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    2.5W
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    11A
    20V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    2.35V @ 25μA
    HEXFET®
    EAR99
    增强型MOSFET
    6.7 ns
    7.9ns
    ±20V
    4.4 ns
    1.8V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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