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首页 全部分类 GA04JT17-247 vs STW4N150

GA04JT17-247备选型号: STW4N150

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  • 生命周期状态
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA04JT17-247
    GeneSiC Semiconductor
    GENESIC SEMICONDUCTOR GA04JT17-247 SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    4A Tc 95°C
    175°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    NPN
    1
    Single
    106W
    10 ns
    480m Ω @ 4A
    28ns
    1700V
    50 ns
    15A
    25.934mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW4N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    4A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    1
    Single
    160W
    35 ns
    7 Ω @ 2A, 10V
    30ns
    1500V
    45 ns
    4A
    24.45mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    7Ohm
    Tin (Sn)
    1.5kV
    4A
    STW4N
    3
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    5V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    50nC @ 10V
    ±30V
    4V
    30V
    4A
    1.5kV
    150°C
    15.75mm
    5.15mm
    无
    无铅
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