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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥41.852213
10
¥39.48322
100
¥37.248321
500
¥35.139925
1000
¥33.150873
ROHM Semiconductor SCT2450KEC
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- 对比
SCT2450KEC
2078-SCT2450KEC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SCT2450KEC详情
ROHM Semiconductor SCT2450KEC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
85W Tc
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
585mOhm
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
585m Ω @ 3A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 900μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
463pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 18V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+22V, -6V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
22V
漏源击穿电压
1.2kV
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
25A
栅源电压
4 V
高度
5.03mm
长度
15.9mm
宽度
20.95mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SCT2450KEC拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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