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首页 全部分类 GA50JT12-247 vs SCH2080KEC

GA50JT12-247备选型号: SCH2080KEC

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA50JT12-247
    GeneSiC Semiconductor
    GENESIC SEMICONDUCTOR GA50JT12-247SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 50A, TO-247AB
    18 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    100A Tc
    175°C TJ
    Tube
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    25m Ω @ 50A
    7209pF @ 800V
    1200V
    N-CHANNEL
    50A
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SCH2080KEC
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
    19 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    40A Tc
    175°C TJ
    Tube
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    117m Ω @ 10A, 18V
    1850pF @ 800V
    1200V
    -
    40A
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    通孔
    3
    2A
    1
    On/Off
    Single
    高边
    增强型MOSFET
    262W
    37 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4V @ 4.4mA
    106nC @ 18V
    33ns
    +22V, -6V
    28 ns
    2.8V
    22V
    1.2kV
    80A
    175°C
    4 V
    25.83mm
    15.9mm
    20.95mm
    无
    无铅
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